操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2

操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2

产品信息：
开关功能 常开 (NO)
输出类型 PNP
反极性保护 反极性保护
短路保护 脉冲
导线截面积 0,34 mm2
外壳材料 不锈钢 1.4404 / AISI 316L (V4A)
感应面 PBT
电压降 ≤ 2,5 V
工作电流 0 ... 200 mA
额定工作距离 60 mm
安装 在非磁性金属中齐平安装

薄膜磁致电阻传感器：
铁磁性物质在磁化过程中，它的电阻值沿磁化方向将增
加，并达到饱和的现象称 为磁阻效应。薄膜磁阻元件
式、四端式以及多端式器件。BMber结构桥式电路磁阻
元件具有灵敏度*、工作频率特性*、温度稳定性*、
是利用薄膜工艺和微细加工技术，将NiPe。NiCo合金
过微细加工技术制成 一定形状的磁咀图形，形成三端
结构简单、体积小 等特点。可制成*密度磁咀磁头、
用真空蒸镇或溯射工艺沉积到硅片或铁氧体基片上，通
磁性编码器、磁阻位移传感器、磁阻电流传感器等。

实物图：

操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2