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原装进口倍加福磁式传感器,德国P+F磁式传感器产品说明

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产品名称: 原装进口倍加福磁式传感器,德国P+F磁式传感器产品说明
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原装进口倍加福磁式传感器,德国P+F磁式传感器产品说明 图中的磁路系统由圆柱形长久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。 气隙中的磁场均匀分布,测量线圈绕在筒形骨架上,经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。 当线圈与磁铁间有相对运动时,线圈中产生的感应电势e为 式中 B——气隙磁通密度(T); 原装进口倍加福磁式传感器,德国P+F磁式传感器产品说明


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原装进口倍加福磁式传感器,德国P+F磁式传感器产品说明
  上海乾拓贸易有限公司
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指南针:地球会产生磁场,如果你能测地球表面磁场就可以做指南针。电流传感器:电流传感器也是磁场传感器。
电流传感器可以用在家用电器、智能电网、电动车、风力发电等等。位置传感器:
 如果一个磁体和磁传感器相互之间有位置变化,这个位置变化是线性的就是线性传感器,如果转动的就是转动传感器。
大家在生活中都用到很多磁传感器,比如说指南针,电脑硬盘、家用电器等等。
利用其逆转换效应可构成力(矩)发生器和电磁激振器等。根据电磁感应定律,
当W匝线圈在均恒磁场内运动时,设穿过线圈的磁通为Φ,则线圈内的感应电势e与磁通变化率dΦ/dt有如下关系:
根据这一原理,可以设计成变磁通式和恒磁通式两种结构型式,构成测量线速度或角速度的磁电式传感器。
变磁通式结构(a)旋转型(变磁)); (b)平移型(变气隙)
MTJ元件相对于霍尔元件具有更*的温度稳定性,更*的灵敏度,更低的功耗,
更*的线性度,不需要额外的聚磁环结构;相对于AMR元件具有更*的温度稳定性,
—线圈切割磁力线而产生。这类结构有两种,如下图所示。
恒磁通式结构 (a)动圈式;(b)动铁式
图中的磁路系统由圆柱形长久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。
气隙中的磁场均匀分布,测量线圈绕在筒形骨架上,经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。
当线圈与磁铁间有相对运动时,线圈中产生的感应电势e为
式中 B——气隙磁通密度(T);
l——气隙磁场中有效匝数为W的线圈总长度(m)为l=laW(la为每匝线圈的平均长度)
v——线圈与磁铁沿轴线方向的相对运动速度(ms-1)。
当传感器的结构确定后,式(5-2)中B、la、W都为常数,感应电势e仅与相对速度v有关。传感器的灵敏度为
为提*灵敏度,应选用具有磁能积较大的长久磁铁和尽量小的气隙长度,以提*气隙磁通密度B;
增加la和W也能提*灵敏度,但它们受到体积和重量、内电阻及工作频率等因素的限制。
为了**传感器输出的线性度,要**线圈始终在均匀磁场内运动。
设计者的任务是选择合理的结构形式、材料和结构尺寸,以满足传感器基本**要求。
更*的灵敏度,更宽的线性范围,不需要额外的set/reset线圈结构;
其中长久磁铁1(俗称“磁钢”)与线圈4均固定,动铁心3(衔铁)的运动使气隙5和磁路磁阻变化,
引起磁通变化而在线圈中产生感应电势,因此又称变磁阻式结构。
在恒磁通式结构中,工作气隙中的磁通恒定,感应电势是由于长久磁铁与线圈之间有相对运动
磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。
在现有技术中,有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数。
例如采用霍尔(Hall)元件,各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或
巨磁电阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件为敏感元件的磁传感器。
TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,
其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,
比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。
我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件,
相对于GMR元件具有更*的温度稳定性,更*的灵敏度,更低的功耗,更宽的线性范围。
倍加福的磁式传感器有M12的圆柱形外壳,应用于传统的磁体检测。同时也提供一种用于钢质液压气缸
,针对活塞位置的非接触式检测传感器。此类传感器很容易安装,不需要在气缸上开安装槽或安装孔。
磁传感器就是把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起敏感元件磁**变化转换成电信号,
以这种方式来检测相应物理量的器件。磁传感器分为三类:指南针、磁场感应器、位置传感器。

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